Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35.
SYSCOM- Corriente directa de 300 mA para alta eficiencia
- Voltaje inverso máximo de 75 V
- Disipación de potencia de 0.5 W
- Tiempo de recuperación inversa de 4.0 ns
- Empaque DO-35 (DO-204AH) compacto y estándar
- Capacitancia total de 4.0 pF a 1 MHz
- Modelo
- 1N4148
- Marca
- SYSCOM
- SAT
- 32111500
- SAP
- —
- Garantía
- 3 años
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Inventario disponible: 11
Sustituto sugerido
5121N4148Descripción
Características Principales
- Corriente directa (IF) de 300 mA
- Voltaje inverso máximo (VRRM) de 75 V
- Disipación de potencia (PD) de 0.5 W
- Tiempo de recuperación inversa (trr) de 4.0 ns
- Empaque tipo DO-35 (DO-204AH)
Especificaciones Eléctricas
- Corriente directa máxima: 300 mA
- Corriente inversa: 5.0 μA (VR=75V)
- Voltaje de ruptura: 75 V (IR=5.0 μA)
- Voltaje directo: 1.0 V (IF=10 mA)
- Capacitancia total: 4.0 pF (VR=0, f=1.0 MHz)
Especificaciones Mecánicas
- Tipo de empaque: DO-35 (DO-204AH)
- Peso: 0.137 gramos
- Dimensiones: 4.56 x 1.91 mm (diámetro x longitud)
- Material: Vidrio hermético
- Marcaje: Banda negra en cátodo
Especificaciones Térmicas
- Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
- Temperatura de operación: -55°C a +175°C
- Resistencia térmica: 300°C/W
Aplicaciones Típicas
- Circuitos de conmutación de alta velocidad
- Rectificación en fuentes de alimentación
- Protección contra polaridad inversa
- Circuitos de detección de señales
- Conmutación en circuitos digitales
Condiciones Límite
- Corriente de pico no repetitivo: 4.0 A (1.0 μs)
- Corriente promedio rectificada: 200 mA
- Temperatura de unión: -55°C a +175°C
Información de Almacenamiento
- Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
- Humedad: 85% RH a 85°C (prueba de humedad)