Transistor 2N706.
SYSCOM- Transistor NPN de silicio robusto
- Corriente colector 200 mA máxima
- Tensión colector-emisor 40 V soportada
- Disipación potencia 300 mW alta eficiencia
- Rango temperatura -65°C a 200°C amplio
- Ideal conmutación baja potencia y amplificación
- Modelo
- 2N706
- Marca
- SYSCOM
- SAT
- 32111607
- SAP
- —
- Garantía
- 3 años
Descripción
Características
- Transistor NPN de silicio
- Corriente colector de 0.2A
- Tensión colector-emisor de 40V
- Tensión base-emisor de 5V
- Potencia disipada de 300mW
- Temperatura de operación de -65°C a 200°C
Especificaciones
- Tipo: Transistor NPN
- Corriente máxima colector: 200mA
- Tensión colector-emisor: 40V
- Tensión base-emisor: 5V
- Disipación de potencia: 300mW
- Temperatura de operación: -65°C a +200°C
Aplicaciones
- Conmutación de baja potencia
- Amplificación de señal
- Circuitos digitales
- Control de relés
Datos generales
- Marca: SYSCOM
- Modelo: 2N706
- Tipo: NPN