Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD

• Transistor de efecto de campo (FET) de alta precisión
• Diseñado para aplicaciones de RF y microondas
• Frecuencia de operación hasta 8 GHz
• Bajo ruido y alta linealidad
• Encapsulado SMD para montaje superficial
• Compatibilidad con estándares industriales ICV8000

Modelo

156-000-1061

Marca

—

SAT

32111607

SAP

—

Garantía

3 años