Transistor FET de RF / Alta Potencia / Hasta 1 GHz / 28 V

• Transistor FET de alta potencia
• Diseñado para aplicaciones de RF
• Frecuencia de operación hasta 1 GHz
• Voltaje de operación de 28 V
• Corriente de drenaje de 150 mA
• Paquete hermético para mayor durabilidad

Modelo

156-000-1151

Marca

—

SAT

32111603

SAP

—

Garantía

3 años